孔徑測(cè)試儀-貝士德儀器科技（北京）有限公司

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孔徑分析儀

孔徑分析儀比表面及孔徑分析儀比表面積及孔徑分析儀孔徑分布檢測(cè)儀孔徑分布測(cè)量?jī)x 孔徑分布測(cè)定儀孔徑分布測(cè)試儀孔徑分布分析儀孔徑檢測(cè)儀孔徑測(cè)量?jī)x 孔徑測(cè)定儀孔徑測(cè)試儀

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孔徑分析儀及比表面積測(cè)試儀

更新時(shí)間：2024-10-23

型號(hào)：

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經(jīng)過(guò)改進(jìn)升級(jí)后3H-2000型系列儀器在2002年12月16日通過(guò)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研究中心的計(jì)量檢測(cè)，證書(shū)編號(hào)為：計(jì)測(cè)字第 2002-(17)-017。2004年推出BET多點(diǎn)法教學(xué)用3H-2000II型;2005年推出3H-2000III型;2008年推出的全自動(dòng)智能運(yùn)行的3H-2000A型,以及BET原理的BET單點(diǎn)法的3H-2000BET-S型,3H-2000PS系列比表面及孔徑分析儀。
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BSD-660多孔材料孔徑測(cè)試儀

更新時(shí)間：2024-10-25

型號(hào)：BSD-660

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多孔材料孔徑測(cè)試儀，是在液氮溫度下（77.3K）向樣品管內(nèi)通入一定量的吸附質(zhì)氣體（N2）通過(guò)氣體狀態(tài)方程PV=nRT，得到分壓點(diǎn)的吸附量；再通過(guò)BET或Langmuir等理論公式計(jì)算可得到樣品的比表面積，逐漸投入吸附質(zhì)氣體增大吸附平衡壓力，得到吸脫附等溫線；再通過(guò)吸附脫附等溫線的數(shù)據(jù)計(jì)算得到樣品的孔徑大小，孔體積，孔徑分布等信息。
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BSD-PS比表面積及孔容孔徑測(cè)試儀

更新時(shí)間：2024-10-24

型號(hào)：BSD-PS

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比表面積及孔容孔徑測(cè)試儀測(cè)試精度高、重現(xiàn)性好。重復(fù)性誤差小于±1%。測(cè)試范圍：比表面0.0005m2/g以上，微孔：0.35-2nm、介孔：2-50nm、大孔：50-500nm，樣品類(lèi)型：粉末，顆粒，纖維及片狀材料等可裝入樣品管的材料
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BSD-PS沸石孔徑測(cè)試儀

更新時(shí)間：2024-10-24

型號(hào)：BSD-PS

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沸石孔徑測(cè)試儀測(cè)試精度高、重現(xiàn)性好。重復(fù)性誤差小于±1%。測(cè)試范圍：比表面0.0005m2/g以上，微孔：0.35-2nm、介孔：2-50nm、大孔：50-500nm，樣品類(lèi)型：粉末，顆粒，纖維及片狀材料等可裝入樣品管的材料
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BSD-PS氧化金屬孔徑測(cè)試儀

更新時(shí)間：2024-10-24

型號(hào)：BSD-PS

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氧化金屬孔徑測(cè)試儀測(cè)試精度高、重現(xiàn)性好。重復(fù)性誤差小于±1%。測(cè)試范圍：比表面0.0005m2/g以上，微孔：0.35-2nm、介孔：2-50nm、大孔：50-500nm，樣品類(lèi)型：粉末，顆粒，纖維及片狀材料等可裝入樣品管的材料
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BSD-PM納米碳酸鈣孔徑測(cè)試儀

更新時(shí)間：2024-10-24

型號(hào)：BSD-PM

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納米碳酸鈣孔徑測(cè)試儀測(cè)試精度高、重現(xiàn)性好。重復(fù)性誤差小于±1%。測(cè)試范圍：比表面0.0005m2/g以上，微孔：0.35-2nm、介孔：2-50nm、大孔：50-500nm，樣品類(lèi)型：粉末，顆粒，纖維及片狀材料等可裝入樣品管的材料
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BSD-PM煤炭孔徑測(cè)試儀

更新時(shí)間：2024-10-24

型號(hào)：BSD-PM

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煤炭孔徑測(cè)試儀產(chǎn)品概述：◆ 測(cè)試功能：比表面積，孔結(jié)構(gòu)及其他氣體吸附性能評(píng)價(jià)◆ 吸附質(zhì)種類(lèi)：各種非腐蝕性氣體測(cè)試◆ 測(cè)試范圍：比表面積0.0005㎡/g以上，孔徑0.35-500nm◆ 分析位數(shù)量：1/2個(gè)分析位；
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BSD-PM硅藻土孔徑測(cè)試儀

更新時(shí)間：2024-10-24

型號(hào)：BSD-PM

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硅藻土孔徑測(cè)試儀產(chǎn)品概述：◆ 測(cè)試功能：比表面積，孔結(jié)構(gòu)及其他氣體吸附性能評(píng)價(jià)◆ 吸附質(zhì)種類(lèi)：各種非腐蝕性氣體測(cè)試◆ 測(cè)試范圍：比表面積0.0005㎡/g以上，孔徑0.35-500nm◆ 分析位數(shù)量：1/2個(gè)分析位；
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